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先进院(深圳)科技有限公司(简称“先进院科技”)面向Qi与AirFuel无线充电接收端,提供隔磁片材料选型、结构设计与测试验证思路。
相关产品方向可参考: 吸波材料与隔磁片产品页
无线充电接收器中,隔磁片通常位于接收线圈与电池/电路之间,核心作用包括:
在典型Qi接收端中,隔磁片设计不当可能导致:
因此,隔磁片选型必须围绕功率、频率、厚度、成本四大边界展开。
| 痛点 | 主要机理 | 隔磁片对策 | 可量化目标 |
|---|---|---|---|
| 接收端发热 | 磁滞损耗、涡流损耗、线圈铜损 | 低Core Loss材料、薄层高电阻、导热结构 | 温升降低5℃以上 |
| 充电效率低 | 耦合不足、磁通泄漏 | 高磁导率、低损耗、厚度匹配 | 效率提升3—10个百分点 |
| FOD误触发 | Q值下降、金属异物涡流、温漂 | 低损耗隔磁片、稳定Q值、减少漏磁 | 降低误触发率 |
| 磁场泄漏干扰 | 磁通未约束、屏蔽不足 | 高屏蔽效能、多层复合 | 降低对电池/NFC/电路干扰 |

| 关键指标 | 为什么重要 | 建议关注点 | 典型参考 |
|---|---|---|---|
| 磁损耗 Core Loss | 直接决定发热与效率 | 在目标频率和Bpk下测试 | Qi:100kHz/20—50mT;AirFuel:6.78MHz/5—20mT |
| 直流偏置 DC Bias | 大功率下磁导率下降 | 关注Hdc=50/100 Oe下μ保持率 | 保持率>70%更稳 |
| 温度稳定性 Curie温度 | 高温下磁性能衰减 | 高于更高工作温度20—30℃ | MnZn约100—140℃;纳米晶可>300℃ |
| 厚度 | 影响空间与耦合 | 手机<0.3mm | 0.1—0.3mm |
| 屏蔽效能 | 影响FOD与EMI | 降低漏磁、稳定Q值 | 以减少杂散磁场为目标 |
先进院科技建议:隔磁片选型应至少验证 Core Loss、DC Bias、Curie温度、温升、FOD兼容性、EMI 六项,而不是仅凭初始磁导率决定。
| 功率档位 | 典型应用 | 工作频率 | 推荐材料 | 厚度建议 | 关键指标 | 选型要点 | 成本等级 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5W | TWS、可穿戴、鼠标 | Qi 110—205kHz | MnZn铁氧体、复合磁片 | 0.1—0.3mm | 低Core Loss、Curie>100℃ | 薄型、低成本、稳定Q值 | 低 |
| 15W | 手机Qi EPP | Qi 110—205kHz | MnZn铁氧体+纳米晶复合、多层磁片 | 0.15—0.3mm | Core Loss低、DC Bias好、Curie>120℃ | 兼顾效率、温升与厚度 | 中 |
| 50W | 车载、工业、机器人 | Qi 110—205kHz或AirFuel 6.78MHz | 纳米晶、高频NiZn、金属软磁复合 | 0.3—1.0mm | 高饱和、高Curie、低损耗 | 优先大功率热稳定与抗偏置 | 中高 |
| AirFuel高频 | 高频共振充电 | 6.78MHz | NiZn铁氧体、高频复合磁片 | 0.1—0.5mm | 高频低涡流、低介电损耗 | 重点控制高频损耗 | 中高 |
先进院科技围绕无线充电接收端隔磁片,可提供从材料到结构的协同选型思路:
产品信息与规格资料,请访问: https://www.xianjinyuan.cn/products/absorbing-materials.html
先进院科技认为,无线充电接收器隔磁片的核心价值,不只是“导磁”,而是同时解决效率、发热、FOD误触发与磁场泄漏。选对隔磁片,才能让接收端在有限厚度和成本内实现更稳定、更安全的无线充电体验。
*本文数据为典型行业参考,实际选型请以项目测试与先进院科技方案评估为准。
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