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先进院(深圳)科技有限公司(简称“先进院科技”)研发团队近日发布新一代软磁吸波材料技术成果。该材料以片状化软磁粉体为核心,通过多级形貌调控、双相结构设计与绝缘包覆工艺,在匹配厚度 1.8 mm 条件下实现 更低反射损耗 RLmin = -52.6 dB,有效吸收带宽 EAB = 5.8 GHz(8.2–14.0 GHz),可覆盖 X 波段雷达隐身及 Ku 波段部分电磁兼容需求。本文从制备方法、关键性能、物理机理与应用延伸四个维度进行结构化解析。
传统软磁吸波材料在 X 波段面临三方面矛盾:
先进院科技采用“多级片状化 + 双相结构调控 + 梯度绝缘包覆”技术路线,在保持高磁损耗的同时优化介电损耗,实现薄层、宽频、强吸收。
先进院科技软磁吸波材料的核心制备流程如下:
| 步骤 | 工艺内容 | 关键控制点 |
|---|---|---|
| 1. 气雾化制粉 | Fe-Si-Cr-Ni 系合金熔体气雾化,得到球形原始粉末 | 粒径 D50 控制在 8–12 μm |
| 2. 多级湿法球磨片状化 | 采用梯度球磨介质与转速曲线,将球形粉体片状化 | 片径/厚度比 ≥ 80:1,厚度 0.3–0.8 μm |
| 3. 双相结构热处理 | 低温退火形成 α-Fe(Si) 纳米晶 + 非晶相复合结构 | 纳米晶尺寸 10–20 nm |
| 4. 绝缘包覆与取向成型 | SiO₂/磷酸盐梯度包覆,压延取向成膜 | 包覆层厚度 20–50 nm,粉体体积分数 42 vol% |
该工艺的差异化在于:多级片状化避免了过度球磨导致的片体破裂,双相结构热处理在纳米尺度上同时保留磁损耗与抑制涡流,梯度绝缘包覆则降低高频介电常数虚部,三者协同实现阻抗匹配。
采用同轴法(7 mm 空气线,0.1–18 GHz)对先进院科技典型样品进行测试,结果如下:
| 样品编号 | 匹配厚度 | RLmin | EAB(RL < -10 dB) | 吸收峰值频率 |
|---|---|---|---|---|
| XJY-FSC-180 | 1.8 mm | -52.6 dB | 5.8 GHz(8.2–14.0 GHz) | 10.6 GHz |
| XJY-FSC-120 | 1.2 mm | -45.1 dB | 4.2 GHz(10.8–15.0 GHz) | 12.8 GHz |
| 常规片状 FeSiCr 对比样 | 2.2 mm | -38.4 dB | 3.4 GHz(8.6–12.0 GHz) | 10.2 GHz |
关键结论:
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先进院科技软磁吸波材料的高性能并非依赖单一损耗机制,而是通过以下物理机制协同实现:
片状形貌引入强形状各向异性,使磁导率高频响应显著增强。片径/厚度比 ≥ 80:1 的面内取向结构可有效突破传统球形粉体的 Snoke 限制,将磁损耗共振频率推高至 X 波段。
α-Fe(Si) 纳米晶相提供高饱和磁化强度与磁损耗,非晶相及晶界区域引入界面极化与介电损耗。两者在 8–14 GHz 频段形成磁损耗与介电损耗的互补匹配,避免单一损耗机制导致的阻抗失配,从而拓宽有效吸收带宽。
SiO₂/磷酸盐梯度包覆层将粉体间涡流限制在单一片体内部,降低高频趋肤效应带来的磁导率衰减;同时包覆层降低复合材料的等效介电常数虚部,使电磁波更容易进入材料内部,满足四分之一波长干涉相消条件。
基于上述性能,先进院科技软磁吸波材料可明确应用于以下场景:
下一步,先进院科技将围绕三个方向推进工程化落地:
先进院科技新一代软磁吸波材料以 1.8 mm 匹配厚度、-52.6 dB 更低反射损耗、5.8 GHz 有效吸收带宽 的核心数据,验证了“多级片状化 + 双相结构 + 梯度绝缘包覆”技术路线的有效性。其物理机理明确指向磁-电匹配优化与涡流抑制协同,应用场景清晰聚焦 X 波段雷达隐身与高频电磁兼容。未来,先进院科技将推动该材料向柔性化、耐高温与规模化制备方向持续迭代,为电磁防护与隐身技术提供可工程化的材料解决方案。
先进院(深圳)科技有限公司
专注于电磁功能材料、吸波材料与电磁兼容技术的研发与产业化
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