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NbTi薄膜沉积超导FPC
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NbTi薄膜沉积超导FPC

先进院(深圳)科技有限公司聚焦NbTi薄膜沉积超导FPC技术,以聚酰亚胺为柔性基底,经磁控溅射/PLD沉积、退火、光刻图案化及绝缘层沉积,实现超导性能与柔性结构平衡。该技术可优化薄膜应力与低温性能,面向量子计算互联、低温电子学、医疗成像和空间探测,并推进卷对卷规模化生产。
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+86-13826586185

NbTi薄膜沉积超导FPC

产品概述

先进院(深圳)科技有限公司基于NbTi低温超导材料与柔性印刷电路工艺,开发NbTi薄膜沉积超导FPC。产品以聚酰亚胺(PI)等柔性基底为核心,通过磁控溅射/脉冲激光沉积制备NbTi超导薄膜,结合退火、光刻图案化和绝缘层沉积,形成可弯曲、高密度、低损耗的超导线路结构,适用于量子计算、低温电子学、医疗成像及空间探测等低温场景。

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核心优势

  • 超导性能:NbTi临界温度约9.2K,在4.2K液氦温区具有高临界电流密度和良好机械性能。
  • 薄膜化设计:微米级厚度控制,降低材料消耗;可调控成分与微观结构,优化Jc及交流损耗。
  • 柔性结构:PI基底耐低温、低热膨胀,支持可弯曲高密度电路。
  • 精密沉积:磁控溅射厚度控制可达±5nm,Nb/Ti比例误差<1%,沉积速率可达100nm/min。
  • 图形化能力:光刻结合湿法/干法刻蚀,线宽精度可达±2μm。
  • 绝缘可靠:SiO₂或Al₂O₃绝缘层厚度50-200nm,介电强度需>10MV/cm。

典型结构与材料

  • 柔性基底:PI薄膜,经等离子清洗、化学蚀刻及CMP/IBE平整化,Ra<1nm。
  • 超导层:高纯NbTi合金靶(Nb:Ti=50:50 at.%),高纯Ar(99.999%)。
  • 缓冲层(可选):TiN或NbN,厚度50-100nm,用于缓解薄膜应力。
  • 绝缘层:CVD/ALD沉积SiO₂或Al₂O₃。
  • 图案化线路:光刻+湿法蚀刻(HNO₃:HF=3:1)或CF₄/O₂等离子体干法刻蚀。

关键工艺窗口

工艺环节 典型参数
磁控溅射 气压0.5-2Pa;功率密度5-10W/cm²;基底温度室温至200℃
PLD 激光能量密度1-5J/cm²;脉冲频率1-10Hz
退火 400-600℃真空/惰性气氛,1-2小时
图案化 线宽精度±2μm
绝缘层 50-200nm,介电强度>10MV/cm
弯折设计 限制弯折半径>5mm

技术挑战与解决方案

  • 薄膜应力控制:引入TiN/NbN缓冲层,优化功率密度与基底温度,减少弯曲剥落。
  • 低温性能衰减:少量Zr/Hf掺杂提高韧性;柔性基底与刚性框架结合设计。
  • 规模化生产:开发卷对卷(R2R)磁控溅射系统;多靶共溅射提升大面积成分均匀性。

应用场景

  • 量子计算:超导量子比特芯片互联,低温低损耗信号传输。
  • 低温电子学:SQUID传感器等柔性超导线路。
  • 医疗成像:MRI梯度线圈等轻量化、低功耗部件。
  • 空间探测:轻量化低温设备及深空探测柔性超导线路。
  • 拓展方向:可穿戴低温设备、MgB₂/铁基超导体等柔性超导材料研究。

定制与交付说明

先进院(深圳)科技有限公司可根据客户需求提供PI基底规格、NbTi薄膜厚度、图形线宽、缓冲层/绝缘层材料及R2R连续生产方案等定制化开发。以上参数为典型工艺窗口,具体指标以项目评估和样品测试为准。

先进院(深圳)科技有限公司致力于NbTi薄膜沉积超导FPC技术研发与商业化,推动柔性超导线路在量子科技、高端医疗和空间探测领域的应用。

定制服务

先进院科技提供NbTi薄膜沉积超导FPC全流程定制服务,涵盖:

  • 基底与超导材料定制:PI基底规格选择,NbTi薄膜厚度与成分优化
  • 沉积工艺定制:磁控溅射、PLD工艺参数优化,退火工艺定制
  • 图形化与绝缘层设计:光刻/刻蚀线宽精度控制,TiN/NbN缓冲层及SiO₂/Al₂O₃绝缘层选型
  • 性能验证:薄膜应力测试、弯折可靠性验证、低温超导性能评估
  • 规模化生产方案:卷对卷(R2R)磁控溅射系统定制,多靶共溅射大面积均匀性优化
  • 应用场景适配:量子计算、低温电子学、医疗成像、空间探测等场景定制
  • 联合研发:MgB₂、铁基超导体等新型柔性超导材料,可穿戴低温设备等前沿方向合作

先进院(深圳)科技有限公司


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